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Atom-scale model could help improve material growth for advanced electronics
✓ sellado · 6 de noviembre de 2026 a las 5:20 p. m. · sociedad
Penn State researchers have refined an atom-scale model of how silicon carbide changes from a solid into vapor during crystal growth, work that could help manufacturers produce higher-quality material for advanced electronics while reducing costly trial-and-error experiments.
“Cada fallo que se evita en el laboratorio es tiempo y dinero que no se pierde: la precisión en la materia es lo que hace posible la tecnología.”
Atom-scale model could help improve material growth for advanced electronics · Phys.org
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Sellada entre las 14:24:00 (drand #6618494 · NIST #2016180) y las 14:24:06 (RFC 3161) · verificar sello
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